在日本,受逃学、慢性疲劳综合症以及睡眠障碍等因素的影响,儿童的学习热情问题引起人们的关注。本期,我们就来看一看孩童时代儿童的学习热情与他们是如何思考自己错误原因所在之间的关系。以下将要介绍的是天普大学(Temple University,美国费城)心理学教室的Kelly R. Fisher、Peter J. Marshall和Ajantha R. Nanayakkara以小学3—5年级儿童为研究对象的论文《Motivational Orientation Error Monitoring, and Academic Performance in Middle Childhood: A Behavioral and Electrophysiological Investigation》(MBE Vol.3,No.1,p56-63,2009)。
人们一直认为学校里孩子们所表现出的学习热情与学习成绩相关,同时也与对成绩所产生的情绪反应有关。另外,学习热情分为发自内心的热情和受外界刺激而产生的热情,这两者在孩子们的学习热情中所占的比重直接影响到他们对成绩好坏的原因意识。
发自内心的学习热情强烈的孩子对学习本身很感兴趣,能够自己去扩展和探索知识与技能。并且,他们把失败看作是重新评价自己的知识和学习方法的契机,从而表现出具有持续努力的热情和忍耐力,并且对于失败会表现出适当的情绪反应。
相反,受外界刺激而产生的学习热情强烈的孩子喜欢被周围人给与肯定,当失败时容易把责任推卸给别人,或产生消极情绪,进而学习热情下降,更严重者会放弃学习。
产生这些现象的大脑原理还有很多未知数。一般认为热情与脑前额叶外皮、下丘脑、脑干等参与的奖赏系统(reward system)关系密切。也可能与位于扣带前皮质(ACC, anterior cingulate cortex)的性能监控系统(performance monitoring system)相关。扣带前皮质具有皮质构造,与海马和扁桃体相连构成了大脑的边缘系统,具有调节注意力、选择反射、调节情绪等众多机能,也与人的性格相关。
理论证实扣带前皮质的性能监控系统与选择反应时间实验(Choice reaction time task)出错时出现的错误相关负电位(ERN, error-related negativity)相关。这种对自身错误快速反应的扣带前皮质的机能在解决成绩的原因归属问题中有重要作用。
该论文以美国东北地区的小学3—5年级学生为对象,通过测定选择反应试验时的错误相关负电位来分析学习热情、对考试结果的原因意识的不同与错误判断能力之间的关系。学习热情、智力水平、学习成绩分别通过Harter’s Intrinsic Versus Extrinsic Motivational Orientation in the Classroom (1981)、韦氏儿童智力量表(Wechsler Intelligence Scale for Children)、学校的成绩单进行了测定。
选择反应试验采用了埃里克森侧卫测试(Eriksen Flanker Test)。具体试验中,先让被试观看银幕中央的5个箭头图像,之后让其回答正中间的箭头和周围的箭头方向是否一致。回答错误时算作错误反应,从脑电波中算出此时的错误负电位。最后通过问卷调查的形式判明被试认为自己做出错误判断的原因是什么。
该研究的结果显示回答错误时的错误负电位越大,被试对学习的内在热情越高,学习成绩也较好,而且他们大多认为自己选择错误的原因是在于自己,是可以通过自己的努力而改变的。
该论文还指出这种采用选择反应试验的研究虽然与在学校的学习大不相同,但是成功与失败的原因归属意识与学习成绩相关。这一结果说明不必考虑具体情况和试验类型,根据被试所具有的热情类型就可以判断其是如何思考错误原因的。
发自内心的学习热情强烈的孩子在课题失败时出现强ERN信号有2种可能性:
1.情绪与重复错误检出和结果的脑内机能关系密切
2.与受外界刺激而生的学习热情的孩子相比,认知信息处理的过程不同
当然,这种脑内机能系统的形成可能与突触(synapse)数量变化激烈的幼儿期发生的神经突触削减现象相关。换句话说,育儿、保育、早期教育关系到学习热情的形成和其原因归属。
为了验证这种想法的普遍性,还需要以更多的孩子为对象进行详细研究。通过这种将教育理念与脑神经生理学现象相对应的研究,将会促进脑科学导入到教育学中的发展。研究对象也还有探讨的余地,也许研究比这次调查对象年龄更小的幼年儿童会更有意义。